三星称2027年HBM产能已售罄

IT时代网10月29日消息,三星电子在2026年第三季度财报电话会议上表示,其2027年的HBM产能已按既定目标价格售罄,预计2028年的整体DRAM内存供应将维持紧张。

第三季度三星DRAM和NAND出货容量均上涨个位数百分点,平均售价分别增长20%和近10%;公司预计第四季度DRAM出货容量将增长15%至20%,NAND增长15%左右。存储半导体市场整体仍供小于求,高管特别提到收到了大量QLC需求。

三星存储器业务已与10家客户签署长期供应协议,正与另外10家就多年期合同进行洽谈,正稳步推进通过多年期合同锁定60%至70%产出的计划,客户对滚动续签的需求远超预计,有些客户希望在协议期内追加供应。HBM方面,三星已提前实现HBM细分市占齐平整体DRAM市占的目标,HBM4销售额第三季度环比增长超3倍,已占到HBM总营收的60%。本站今日已报道其HBM市占率追平DRAM约40%水平。此外,三星晶圆代工计划加大对韩美晶圆厂的投资,希望同步建设先进封装产能,8nm以下节点的产能利用率预计将突破100%。

注:本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等,文中包含AI辅助创作的内容。

编辑:林一舟

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