国内首款12英寸多晶碳化硅衬底问世

IT时代网10月29日消息，湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿，宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，瞄准 AI 芯片与先进封装的散热瓶颈。12 英寸多晶碳化硅衬底是一种直径约 300 毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板，主要作为先进封装和高温半导体工艺中的高导热支撑、散热基底，帮助 AI 芯片等高功率器件快速导出热量。

该公司指出，当前半导体碳化硅赛道市场目光大多聚焦单晶 SiC 衬底，多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需，高端多晶材料长期受制于人，成为制约国内产线扩产的关键痛点，大尺寸致密化、高纯度制备、热性能匹配是亟待攻克的核心技术瓶颈。

据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间损耗两台气相沉积炉，攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。关键性能上，该衬底沉积速度达每小时 60 微米，明显高于国内外同行 10 至 20 微米的水平；最低电阻率可小于 1 毫欧·厘米，优于国外同行约 10 毫欧·厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，有助于提升芯片良率。

该产品目前已通过台积电认证测试，并给三星送样。

注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟