三星HBM市占率约40%追平DRAM

IT时代网10月29日消息，三星电子近日在第三季度财报电话会上确认，其 HBM 市场份额已追平 DRAM 业务的全球市占率水平，约 40%。这一目标原计划在下半年达成，实际在第三季度便已提前实现。

支撑份额跃升的核心，是 HBM4 在技术架构上的代际跨越。三星没有沿用前代设计，直接导入第六代 10 纳米级 DRAM 工艺与 4nm 逻辑基底裸片，这是 HBM 产品首次将逻辑半导体推进到 4nm 节点。性能指标随之抬升，HBM4 单引脚传输速率稳定在 11.7Gbps，较 JEDEC 标准高出约 46%，并可扩展至 13Gbps；单堆栈总带宽最高达 3.3TB/s，为 HBM3E 的 2.7 倍。

能效与散热同步改善。引脚数从 1024 翻倍至 2048 带来的功耗压力，被低电压 TSV 与供电网络优化抵消，HBM4 能效较 HBM3E 提升 40%，热阻改善 10%，散热能力提升 30%。

技术优势正转化为供应链层面的锁定效应。三星已与 10 家大型客户签署多年期存储长期供应协议，另有 10 家主要客户处于谈判阶段。三星的目标是到 2030 年将长期协议覆盖的产能比例提升至 60% 至 70%，2027 年的 HBM 供应量也已按目标价格完成谈判。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟