默克在韩投产钼材料厂供先进存储

IT时代网10月22日消息，德国默克在韩国忠清北道阴城郡投产一座半导体材料新工厂，本地化生产二氧化钼，面向先进存储芯片不断增长的材料需求。

新工厂将生产用于芯片制造中沉积超薄金属薄膜的二氧化钼前驱体，初期聚焦先进3D NAND闪存所需材料，向韩国及亚洲其他地区客户供货。工厂与前驱体生产配套的化学品输送系统将在京畿道安山工厂制造，默克称这套集成系统对装入容器材料的利用率可超过99%。

钼被视为钨的替代方案：随着芯片制程微缩、堆叠层数增加，钨的电阻问题日益突出，而钼还能减少占用宝贵空间的阻挡膜需求。三星电子已在第九代V-NAND中启用钼材料，另一家存储厂商据报也准备在375层NAND中导入。

该项目属于默克2021年宣布的6亿欧元投资计划的一部分。公司电子业务负责人表示，韩国是其半导体材料前三大市场之一，公司正为未来五年半导体材料需求可能翻倍做好准备；先进封装则是另一个增长点，短期内封装产能仍然不足。

注：本文配图由AI生成，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟