美光公布下一代存储路线图覆盖DDR6

IT时代网10月22日消息，美光在2026年技术网络研讨会及OCP峰会上公布下一代存储技术路线图，覆盖DDR6、LPDDR6、泛HBM内存与NAND闪存四大方向。

DRAM方面，美光认为4F²结构由于复杂度和成本上的不足没有可行的规模化路径，选择3D DRAM作为未来发展路线。第7代10nm级节点1δ已在良率爬坡阶段，可带来约25%的代际存储密度提升；第8代节点1ε将引入晶圆键合技术；首代亚10nm级节点ζÅ处于早期开发阶段，将导入High NA EUV光刻。DDR6带宽预计达到DDR5的两倍以上，LPDDR6能效较LPDDR5提升超过35%，均基于1δ工艺，计划2027年下半年量产爬坡。

HBM方面，美光在标准HBM5之外提出两种3DS新型内存：vHBM可理解为3D集成版本的HBM，垂直堆叠DRAM裸片、基础裸片和逻辑主芯片，缩短数据通信路径；vEIM瞄准端侧AI推理场景，初代产品目标实现2TB/s带宽和低于1pJ/bit的能效，两者均计划2028年到来，届时将应用无凸块混合键合技术并导入集成散热方案。

NAND方面，美光跳过一代直接推出G11，堆叠层数突破400层，采用晶圆级键合技术，位密度约为G9的两倍，I/O速度提升1.5倍，每比特数据传输能耗降低25%以上，同样计划2027年下半年量产。

注：本文配图由AI生成，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟