SK海力士把散热件做进HBM封装内部

IT时代网10月22日消息，SK海力士为下一代高带宽内存提出iHBM方案，思路是把散热结构直接做进内存封装内部，不再只靠外置散热器和冷板把热带走。

HBM难散热是结构决定的：多层DRAM裸片一层压一层堆在基础裸片上，热量产生在堆叠中间，却只有往上经封装顶盖和冷板、往下经基板两条路径可走，路径长、环节多，夹在中间的几层最难办。热阻数值越高，同样的发热量换来的温度就越高。

iHBM改的就是这段路径。SK海力士把名为集成散热元件（ICE）的结构放进芯片与芯片之间的物理接口层（D2D PHY），在堆叠内部多开一条就近散热的通道，按这套设计热阻最多能降低30%。D2D PHY本身就是各层裸片之间传数据的地方，天然贯穿整个堆叠，热量不用再爬到封装顶部才能散出去。

工艺上iHBM沿用现有MR-MUF方案，围绕量产和应用，SK海力士已开始与本土及海外材料、设备供应商展开讨论。时间表上，iHBM被规划用在HBM4之后的HBM5上，目前量产时间尚未公布。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟