三星与SK海力士发布第七代HBM4E

IT时代网10月15日消息，三星电子与SK海力士在首尔COEX举办的第二十八届半导体展（SEDEX 2026）上，共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。

三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较上一代HBM4提升约20%，最高带宽达每秒3.6TB；12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%，并将推出8层32GB与16层64GB产品。三星已于5月向客户送样12层版本，正按客户节奏推进量产。

SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较现有HBM4提升逾20%，6月已向主要客户送样12层版本并开展性能验证。

两家公司还分别展示缓解AI系统存储瓶颈的新方向：三星的zHBM将HBM垂直堆叠在处理单元之上，并展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O；SK海力士提出融合HBM速度与NAND容量的HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，计划置于HBM与SSD之间。SK海力士开发总裁安铉在展会主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长20倍。

编辑：林一舟