美光细化DRAM路线 导入新材料节点

IT时代网10月27日消息，美光在公司本周举行的活动上进一步披露了下一代DRAM工艺的推进节奏。公司主管技术与产品的负责人表示，DRAM已经接近原子尺度的极限，虽然对后续几个平面节点仍有信心，但公司十分关注在成本与性能都合适的时点导入3D DRAM。

按照当前安排，第7代10nm级节点1γ已进入大批量生产，后续节点1δ将于2027年下半年进入量产，位密度提升约25%，并面向HBM5、vHBM与vEIM等未来的AI内存产品优化。

1δ之后的1ε节点正在研发中，将引入晶圆键合技术，公司尚未披露具体实现方式与预期收益。再往后的ζÅ节点将导入High-NA EUV光刻，ηÅ节点则会转而采用新的材料体系继续缩小存储单元，两者分别属于第一代与第二代亚10nm级DRAM节点。

美光还透露，未来五到十年的多项制造技术将与Albany NanoTech合作推进，重点落在先进光刻方向。公司表示，与这类机构的合作主要处在基础性与前竞争阶段的知识产权层面，未来可能用于DRAM量产。

3D DRAM方面，路线图中已列出3D1与3D2两代产品，但公司未公开具体架构与推出时间，强调只有当3D DRAM在制造成本、复杂度与性能上相对传统平面DRAM具备足够优势时才会导入。美光本月早些时候已公布覆盖DDR6、LPDDR6、泛HBM内存与NAND闪存的下一代存储技术路线图相关报道。

编辑：林一舟