DUV多重曝光实现5nm级量产

IT时代网10月24日消息，在 EUV 光刻机受限的背景下，中国芯片制造商正将 DUV 多重曝光技术的潜力压榨到极限。最新拆解数据显示，中国厂商在不使用 EUV 的情况下，已经实现了 5nm 级工艺的量产，DUV 光刻机正在这场突围中扮演核心角色。某厂商第三代 7nm 级 N+3 工艺的实测指标显示，其最小金属间距仅为 32.5nm，比英特尔 18A 工艺的 36nm 间距还要紧凑约 10%；晶体管密度约 113.4 Mtr/mm²，高于台积电 N6 工艺的 107.7 Mtr/mm²，这是纯 DUV 光刻交出的成绩单。实现这一密度的关键，是自对准四重曝光（SAQP）与设计工艺协同优化（DTCO）的深度结合。在最精细的金属层上，中国厂商用四次图案化替代了 EUV 的一次曝光，配合减少鳍数量、收紧单元间距等手段，把 DUV 的分辨率天花板向上顶了一大截。成本层面，业内普遍认为 193nm 浸没式 DUV 三次曝光的成本大约与 EUV 一次曝光持平，说明该路线在特定节点上具备经济可行性。国产浸润式 DUV 曝光机也已进入量产阶段，首批设备已交付，2026 年预计生产约 5 台，2027 年扩至约 20 台，设备自主与工艺突围正在形成合力。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟