美光vHBM架构曝光带宽冲上2TB/s

美光在近期技术研讨会上公布了下一代AI内存路线图，核心是名为vHBM的垂直高带宽内存架构。与传统HBM通过中介层将内存与处理器并排摆放不同，vHBM直接将DRAM堆叠在运算芯片上方，用无凸块混合铜键合技术取代中介层，大幅压缩数据传输距离。美光总裁兼CTO表示，AI工作负载对每token带宽和功耗的要求正在急剧攀升，vHBM的目标就是消除互连瓶颈。首代vHBM设计目标为2TB/s带宽，每比特能耗低于1皮焦耳，计划2028年启动量产，2030年前推出三代产品，其中vHBM3锁定2030年。把内存直接压在处理器头顶，也带来散热层面的硬约束：内存堆叠会挡住处理器的散热路径。业界判断vHBM未来将与标准HBM并行使用，而非全面取代现有架构，美光为此准备了集成式烟囱散热器。与vHBM同步推进的还有vEIM垂直边缘推理内存，将低功耗LPDDR堆叠在边缘设备的逻辑芯片之上。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟