美光下一代3D NAND层数超400层

IT时代网10月24日消息，美光在本周的一场活动上披露了下一代 3D NAND 闪存的技术指标。该产品代号 G11，位密度达到每平方毫米 42Gb，接口速度 5400MT/s，计划于 2027 年下半年进入量产。

按照美光的说明，G11 将带来三项明显改进：存储密度相比当代产品翻倍，输入输出性能提升 50%，同时功耗下降。

为实现上述目标，美光计划采用晶圆对晶圆键合工艺。与此同时，该公司也在开发新的材料与更高密度的存储单元架构，以便把 3D NAND 的堆叠能力延续到 G11 之后。该公司此前已放弃 4F² DRAM 研发路线。美光放弃4F² DRAM研发 称无密度优势

编辑：林一舟