美光放弃4F² DRAM研发 称无密度优势

IT时代网10月23日消息，美光宣布停止对未来4F² DRAM的推进，结束公司在这条技术路线上持续约二十年的研究。

采用4F²存储单元的DRAM长期被业界寄予厚望。相比传统的6F²设计，这种结构有望把单元面积缩小约三分之一，从而在同样面积内放入更多存储单元。

美光总裁兼首席技术与产品官在公司周三举行的活动上表示，4F² DRAM由美光发明，过去二十年里这条路径一直是一个选项，团队评估后决定不再推进，原因在于它增加的复杂度与成本。

按照美光的结论，该架构并未带来实质性的密度优势，反而提高了制造复杂度与成本，并且存在根本性的缩放限制。这一判断将直接影响美光后续的产品规划。

编辑：林一舟