英特尔高管称比台积电更适合用High NA光刻机

IT时代网10月26日消息，英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思认为，与台积电相比，英特尔更适合使用High NA EUV光刻机。他解释说，由于英特尔的产品采用背面供电技术，可直接用High NA EUV光刻电路。

英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德则表示，追赶台积电是规模问题，而非技术问题。

High NA EUV光刻机提高了光线在晶圆上的分辨率，可实现16纳米至8纳米之间的间距，使芯片制造商能够通过单次曝光节省成本。奥思表示，由于英特尔的间距要求不像台积电那样苛刻，公司将能够依赖High NA，这带来了更宽松的容错空间。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟