英特尔公布面向2045年芯片技术路线

IT时代网10月25日消息，英特尔 CTO 及制程工艺负责人 Chris Auth、Jack Kavalieros 等人在近期的播客访谈节目中，透露了面向 2045 年的芯片技术布局。在晶体管结构上，英特尔计划从当前的 GAA 环绕栅极转向 CFET 互补场效应晶体管，把 P、N 器件垂直堆叠以进一步提高晶体管密度，但随之而来的是刻蚀、良率及散热等方面的挑战。材料方面，随着金属线越来越窄，传统铜线面临电阻挑战，英特尔希望用稀有金属钌替代铜，不过并非所有线路都能替代，铜线依然有用武之地。在晶体管及材料之外，芯片封装技术的地位会愈发重要。混合键合可以做到更精细的间距，从而实现更高的带宽，是绕不过去的技术选项。背景方面，英特尔 18A 工艺已对标台积电 N2，下一代 14A 工艺与台积电 A14 的差距在 5% 以内，量产进度甚至有可能提前一年半载。2045 年这一时间点此前也曾出现在比利时微电子研究中心公布的芯片工艺路线图上，对应 A2 节点以内，晶体管还需从 CFET 升级到二维晶体管。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟