长江存储准备量产9600速率内存

IT时代网10月23日消息，存储厂商长江存储（YMTC）被曝正准备量产高速率LPDDR5X内存，新一代产品速率将提升至9600MT/s，并在Fab 3工厂采用垂直沟道晶体管（VCT）4F²单元结构技术投产。

行业调研显示，长江存储自去年10月起已在Fab 2以每月约5000片的规模小规模生产16Gb容量、7500MT/s速率的LPDDR5X，如今进入批量生产准备阶段。在3D硅路径上，长江存储的Xtacking 4.0技术可将存储单元晶圆与外围逻辑电路分开制造，再通过混合键合进行晶圆级堆叠，即便后续大规模量产LPDDR5X，也可较为顺畅地过渡到3D DRAM。

在DRAM单元结构的演进路线上，美光已确认不会将4F²DRAM推向市场，在3D DRAM到来前继续沿用现有6F²布局；长江存储与长鑫存储则在率先推进4F²的采用。分析认为，中国存储厂商在受DUV光刻设备限制的情况下，单元设计上或有一定优势，而一旦3D DRAM具备量产条件，长江存储将是卡位最好的厂商之一。

编辑：林一舟