长鑫第五代DRAM工艺量产 半间距11.95nm

IT时代网9月22日消息，中国 DRAM 厂商长鑫存储已开始使用其第五代 DRAM 工艺技术进行量产。长鑫存储称，这一被公司称为 G5 的新工艺使用四重曝光光刻技术，将 DRAM 有源区半间距缩小至 11.95nm。

11.95nm 半间距对应 23.9nm 的有源区间距，这一维度大致落在其他先进 10nm 级 DRAM 技术的范围内，但不能直接换算为常规的 DRAM 节点命名。

长鑫存储还表示，其针对 DRAM 优化的高介电常数金属栅极工艺将核心单元阵列的高度降至 6762nm。公司同时修改了工艺流程并引入了未公开的新材料，使存储电容器的深宽比达到约 45:1。作为对照，SK 海力士曾表示，当 DRAM 关键尺寸最终降到 10nm 以下时，电容器深宽比需要超过 100:1。

首批披露的采用 G5 工艺量产的器件为 24Gb LPDDR5X，已进入量产。这些芯片的容量比长鑫存储此前的同类产品高出 50%，并提供两种封装形式以适应不同的移动设备设计。据报道，24Gb LPDDR5X 产品已进入中国主流旗舰智能手机。

需要注意的是，11.95nm 是长鑫存储的有源区半间距而非常规工艺节点命名。此外，长鑫存储称 G5 每片晶圆的毛芯片数比 G4 至少多出 50%，但未提供实际数字，也未披露良率，因此无法确定生产率的提升幅度与实际制造成本。

编辑：林一舟