铠侠推动NAND替代部分DRAM应对存储竞争

IT时代网9月4日消息，铠侠公布一项战略规划：通过增强型 NAND 闪存技术替代部分 DRAM 功能，以此深化与美国主要科技公司的合作，并应对竞争对手带来的市场压力。其存储技术负责人松寺胜树表示，闪存需求正以前所未有的速度增长。

AI 服务器通常用 DRAM 做临时数据存储，读取速度优于 NAND，但容量扩展困难、成本也远高于长期存储用途的 NAND，在一定程度上制约了 AI 数据中心的普及。铠侠展出的 CXL 模块面向 AI 工作负载，把高速 NAND 闪存与专用控制器结合，可将数据读取延迟降至传统 NAND 产品的十分之一以下，性能接近 DRAM 水平；据铠侠介绍，在系统中以 CXL 模块替换部分 DRAM，能使内存容量翻倍、整体性能提升约 30%，目前该产品正处于客户评估阶段。

铠侠还展示了面向 AI 场景的新型固态硬盘，计划 2028 年开始提供读写性能增强版的样品，该产品将连接英伟达 GPU，与传统堆叠式 HBM 高带宽内存形成互补。当前铠侠专注于 NAND，三星、SK 海力士和美光则同时覆盖 NAND 与 DRAM 两条产品线；推出 DRAM 替代方案，铠侠希望在 NAND 之外抢占部分需求，稳定盈利结构、降低市场波动风险。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。