SK海力士HBM混合键合遇阻 落后于三星

IT时代网10月7日消息，SK海力士在HBM高带宽内存的混合键合技术开发中遇到困难，进度落后于三星电子。据了解，SK海力士尚未开始样品生产，而三星已向客户送出采用混合键合工艺制造的HBM样品。若消息属实，这对HBM收入市占率长期位居全球第一的SK海力士而言是一次不小的挫折。

这一消息来自SK海力士未来技术研究院的一名工艺开发工程师。混合键合通过嵌入金属凸块将两枚硅芯片永久键合为一体，去掉传统凸点、直接键合铜互连，从而缩短传输距离、降低延迟与信号失真，是下一代HBM堆叠的关键工艺路线。

份额层面的压力已经显现。在目前由HBM3E与HBM4主导的HBM出货中，SK海力士以50%的份额居首，三星占33%。SK海力士此前一度拿下全球HBM支出的64%，如今回落至50%，三星的追赶势头正在增强。混合键合进度落后，可能让SK海力士在追求更高容量与更高性能的客户面前失去部分优势。

这一格局变化最终取决于客户需求与各家评价。对三星而言，若能率先把混合键合HBM推向量产，将是在AI存储关键战线上反超对手的难得机会。

编辑：林一舟