三星首代亚10nm级DRAM确认转向混合键合

IT时代网9月23日消息，韩媒当地时间23日报道称，三星电子存储器业务近期调整先进内存技术路线图，首代亚10nm级DRAM将采用混合键合结构。

具体而言，三星正平行开发两种首代亚10nm级DRAM节点，计划在第7代10nm级1d nm之后导入。原本拟正式用于D0a工艺的是4F² VCT垂直通道晶体管方案，随着采用混合键合的B1b节点被扶正为新的D0a，4F² VCT方案的代号调整为D0a-V。

新版D0a节点将在不同晶圆上分别制造存储阵列和外围电路，再以W2W晶圆对晶圆混合键合结合两部分。这种工艺可针对性优化阵列与外围器件的表现，目前已在3D NAND上广泛应用。

相较需要高深宽比蚀刻形成垂直通道的4F² VCT，混合键合工艺已在量产级别得到验证，基于该技术的DRAM商业化门槛相对更低。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟