长鑫第五代DRAM量产 同容量晶圆芯片增五成

IT时代网9月23日消息，据Chosun报道，中国最大DRAM制造商长鑫存储已启动第五代DRAM工艺G5的量产。该工艺借助四重光刻将DRAM有源区半节距缩小至11.95纳米，对应有源区间距23.9纳米，进入先进10nm级DRAM技术行列；DRAM优化的高K金属栅极工艺则把存储单元阵列高度降至6762纳米。同等8Gb容量下，每片晶圆可产出的芯片数量较第四代至少增加50%。

两款应用该工艺的24Gb LPDDR5X低功耗内存已进入量产。长鑫还在9月初宣布量产下一代LPDDR6，并供货小米折叠手机18 Fold。中报显示，公司正与阿里云、字节跳动、腾讯和联想展开合作，同时与多家大客户谈判长期供货协议。

存储超级周期给了长鑫充沛的扩张资金。中报数据显示，截至6月底其长期资产购置与在建承诺总额为524.44亿元人民币，较去年底的171.29亿元增长206.2%；上半年营业利润117.14亿元，营业利润率达77.9%，高于同期三星电子半导体部门的68.3%与SK海力士的74.4%。

市占率方面，第三方市场研究机构数据显示长鑫全球DRAM销售份额从一季度的7.6%升至二季度的9.5%，当季销售增速99.3%，远高于市场整体的59.5%。在三星、SK海力士、美光把产能集中投向HBM与服务器DRAM的背景下，DDR4 8Gb通用内存平均合约价同比上涨338.6%，通用型DRAM成为长鑫的利润主场。

编辑：林一舟