长鑫存储筹划进军NAND闪存市场

IT时代网9月18日消息，据Chosun报道，长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，在DRAM内存之外开辟新的产品线。据外媒报道，该公司计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发产线，并已在北京设立研发机构，相关研发项目包含NAND技术的开发。

从产业链的反馈看，长鑫存储已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中一家新成立的初创企业打算采购它的NAND芯片，用于人工智能系统与超级计算机的存储产品研发和部署。

长鑫存储与长江存储是中国半导体产业的两家代表性企业，前者做DRAM，后者做NAND闪存。DRAM属于易失性存储，断电即丢失数据，但速度快；NAND闪存速度偏慢，却能长期保存内容。两家公司各自在擅长的领域推动本土产业成长。随着AI时代到来，DRAM、HBM与NAND闪存的需求同时收紧，双方都开始向对方的领域试探——长鑫存储切入NAND市场的同时，长江存储也在与客户测试低功耗DRAM样品，释放出进入DRAM赛道的信号。

有市场研究机构的统计显示，今年二季度长鑫存储的全球DRAM市场份额达到10%，而去年同期仅有4%。同期该公司DRAM营收为146.24亿美元，环比增长99.3%。目前它在全球DRAM市场排第四，位列三星电子、SK海力士与美光之后。

业内人士认为，长鑫存储与长江存储的产品性能与三星电子、SK海力士尚有差距，但低价策略有望在全球内存供应紧缺的背景下帮它们抢占份额。也有观点提醒，中国存储厂商的扩张可能影响韩国巨头的盈利能力。

编辑：林一舟