美光高管：内存新增供应 2028 年才开始爬坡

IT时代网9月18日消息，美光科技 CEO 高级顾问、前执行副总裁兼首席商务官苏米特·萨达纳在当地时间 9 月 15 日举行的一场半导体专题论坛上表示，当前内存短缺已经覆盖所有市场领域，并非局限于个别高端产品。

萨达纳称，客户需求仍在向上修正，美光每年从客户处获得的需求预测都在增加，即使供应商全力扩产，目前也无法判断供应何时能够追上需求。他预计，真正有意义的新增供应要到 2028 年才会开始爬坡，供需何时恢复平衡仍看不到明确时间。

在他看来，AI 系统的表现越来越多地取决于内存容量、内存性能以及处理器与内存之间的传输带宽。大型 AI 模型需要驻留在内存中，推理和训练过程中有大量数据需要反复移动，如果容量不足，模型无法完整加载，如果带宽不足，高性能处理器会因等待数据而无法充分发挥算力。

内存的角色定位也在发生变化。数年前多数客户使用符合通用标准的内存，产品高度相似，厂商难以通过定制设计形成差异。萨达纳表示，AI 改变了这一模式，客户希望利用内存架构提升系统性能、降低功耗，从而建立竞争优势，美光因此更早进入客户的多年产品路线图，与其共同定义下一代系统所需的内存能力。他以美光与英伟达的合作为例，称美光率先将低功耗 DRAM 引入数据中心，并曾在相当长一段时间内成为该领域独家供应商。

在供货模式上，美光正与部分客户签署“战略客户协议”。过去的内存采购协议通常只有一年期限，新的战略协议要求双方作出多年承诺，美光锁定供应，客户锁定需求。萨达纳认为，这些协议需要具备足够明确的投资回报，从而让美光能够为未来数年的资本开支提供依据。

他同时提到，数据中心 AI 并非内存需求的终点，智能体 AI 和物理 AI 将成为新的增长来源，这些需求不会替代上一轮，而是相互叠加。他预计，人形机器人可能成为 2030 年前乃至后续一段时期的重要存储需求来源，每台人形机器人可能搭载数百 GB 的 DRAM 以及数 TB 的 SSD NAND，单机存储价值量远高于手机或电脑。

资本开支方面，萨达纳透露，美光 2025 财年资本开支略高于 130 亿美元，2026 财年预计接近这一数字的两倍，2027 财年可能超过 450 亿美元。公司还将美国长期投资计划由 2000 亿美元提高至 2500 亿美元，并提前了部分投资时间表。

具体进展上，爱达荷州 ID1 晶圆厂预计 2027 年年中产出首批晶圆，ID2 晶圆厂预计 2028 年末前后产出首批晶圆；纽约州规划四座晶圆厂，首座预计 2030 年实现产出，日本、新加坡等地也在推进扩产。他提醒，晶圆厂无法迅速建成，新厂需要完成审批、基础设施建设、设备安装、调试和良率爬坡，2028 年只是初始爬坡，新增产能还要在之后数年才能逐步形成规模。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟