镓仁实现12英寸氧化镓等径生长

IT时代网9月14日消息，杭州镓仁半导体宣布，基于自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓晶体等径生长。

等径生长是晶体走向产业化的重要一步：只有形成直径恒定的等径段，晶锭才具备连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分，等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片越多，单片衬底成本就越低。同时，12英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高，可大幅降低下游设备投资和产线切换成本。

今年3月，该公司刚实现全球首次8英寸氧化镓同质外延生长，相关成果通过国内外第三方机构权威认证。其自研SCIENCE系列VB法长晶设备温控精度达正负0.1摄氏度，具备设备加工艺包一体化能力，实现了从2英寸到12英寸晶体的快速迭代。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟