美光闪迪赴韩争抢半导体人才

IT时代网9月14日消息，存储芯片竞争的主战场正转向人才争夺：美光、闪迪等厂商相继在韩国开设岗位，争抢高带宽内存与NAND闪存设计人才，三星电子则以提高绩效奖金、扩大股权奖励予以应对。

行业消息显示，闪迪近期在首尔持续招聘NAND系统架构、核心设计、固态硬盘固件等研发人才；此前美光也推出首尔办公岗位，招募HBM设计资深工程师。随着AI数据中心投资扩张，HBM、高性能NAND闪存以及企业级SSD需求同步增长，韩国聚集的三星、SK海力士系专业人才成为海外企业眼中的重要资源。

三星电子半年报显示，今年上半年总部员工约12.92万人，较去年同期小幅减少约300人，但员工薪酬总额从去年同期7.5013万亿韩元增至8.0121万亿韩元，增幅约6.8%；计入财报的薪酬费用达到25.7659万亿韩元，约为去年同期的3.1倍，其中包含当期计提入账的长期绩效奖金、股权奖励等各类激励。

股权方面，三星今年上半年承诺向员工授予177.7万股普通股，按协议签署当日公允价值计算总价值3705.68亿韩元，部分已于上半年发放，剩余计划在2028年前陆续兑现；面向半导体业务所属DS部门员工、与经营业绩挂钩的额外限制性股票奖励也已提上日程。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟