SK海力士2028年High NA EUV产DRAM

IT时代网9月11日消息，据路透社此前报道，SK海力士在一份声明中表示，目标是在2028年将High NA（高数值孔径）EUV光刻图案化工艺用于DRAM的大规模生产。

ASML于当地时间本月8日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动High NA EUV生态系统转向面积更大的12英寸掩膜（光罩）。SK海力士正评估是否加入这一联盟。

三星电子在同日新闻稿中确认，计划2028年将High NA EUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产；美光则曾表示，打算为第7代10nm级DRAM工艺1δ（1-delta）导入最新一代EUV光刻设备。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟