台积电三星英特尔联手ASML推进大尺寸光罩

IT时代网9月11日消息，据海外媒体报道，ASML、英特尔、三星与台积电正联手推动行业向6×12英寸光罩（掩模版）过渡。这一变动对High-NA EUV光刻至关重要，更大的模板能让大尺寸芯片一次曝光完成，而不必像现在这样把较小的设计拼接起来。

这种芯片厂商间的协作并不常见，但在面对全行业挑战时，它们会搁置竞争携手推进。High-NA EUV相较当前的Low-NA EUV是重大跨越：数值孔径提升到0.55后，单次曝光分辨率可达8纳米，而0.33数值孔径的EUV扫描仪为13纳米。更高分辨率让厂商能在单次曝光中刻画更小更密的特征，取代复杂的Low-NA EUV多重曝光方案，减少掩模与工序、缩短制造周期，并有望改善关键层图案保真度与良率。

代价同样明显。传统0.33数值孔径EUV采用双向4倍缩小光学，配合标准6×6英寸光罩可实现26×33毫米曝光视场；High-NA EUV改用4倍/8倍非对称光学，同一光罩只能曝光26×16.5毫米的半视场。对面积不超过约429平方毫米的客户端芯片影响不大，但原本能塞进26×33毫米视场的大尺寸裸片，如今必须借助两次High-NA曝光拼接，或拆分成多芯片小芯片设计。拼接虽是各家都在用的近中期方案，却会让ASML Twinscan EXE:5200B扫描仪的吞吐从半视场每小时最高175片晶圆，降到拼接模式下的约125片。

为彻底免去拼接，行业正探索更大的正交6×12英寸光罩来弥补非对称光学。ASML与台积电的6×12英寸光罩试点产线目标定在2031年，全面就绪指向2033年；英特尔已在该方向推进三年，三星计划2028年将High-NA EUV引入DRAM量产，台积电则瞄准2030年。由于现有与未来的Low-NA EUV、DUV扫描仪仍会沿用6×6英寸格式，两种光罩将在市场上并行相当一段时间，为这场本就昂贵的过渡再添成本与复杂度。

编辑：林一舟