美初创称无需EUV量产全新内存

IT时代网9月10日消息，美国初创公司 Kepler Computing 在低调研发 7 年后宣布，将推出号称比 HBM 更强大的全新内存产品，并计划明年量产。

Kepler Computing 表示，这款前沿内存无需 EUV 工艺，即可实现每瓦带宽接近 SRAM，而容量达到 SRAM 及 HBM 的 10 倍以上。公司称已获得 4.68 亿美元融资并建设了专用晶圆厂，内存样品将于今年推出，2027 年量产，2028 年在美国扩展规模。

该公司介绍，核心团队曾参与行业最早的 3D 芯片堆栈技术之一，主导并扩展了第七代 DRAM 及多个逻辑设计，累计生产数十亿颗芯片，并解决了铁电材料的长期挑战、发明了超越 CMOS 技术的逻辑器件。外界分析认为，该产品应为某种 3D 内存，依靠芯片堆栈实现超高密度与性能，但大规模量产仍是关键考验。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟