三星采用台积电3nm生产英伟达HBM基底裸片

IT时代网10月19日消息，三星采用台积电3nm生产英伟达HBM基底裸片

三星电子将采用全球最大晶圆代工厂台积电的制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件 —— 基底裸片。在此之前，三星供应的所有 HBM 产品中，作为存储芯片的核心裸片与充当系统半导体的基底裸片，均由三星自主生产。

18 日有业内消息称，英伟达已向三家 NVHBM 供应商 —— 三星电子、SK 海力士和美光提出要求：使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片。英伟达同时要求，核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于第七代下一代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达在 8 月发布的定制版高带宽内存。

英伟达提出这一要求，是因为各家 HBM 供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能。标准化也能减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受英伟达的要求。

对于标准 HBM 产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星全球率先量产第六代 HBM4，目前第七代 HBM4E 正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片都采用三星自研 4 纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的 1c 产线生产。

面向其他客户的定制 HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。同时三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产 NVHBM 的可能性。一位业内人士表示，三星正在验证能否在自有产线上制造 NVHBM 基底裸片，这是一项预案，防止 NVHBM 需求超出台积电产能上限。

注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟