台积电回应High NA EUV光刻机落后

IT时代网10月15日消息，在日前的财报会议上，台积电再次回应了不率先采购High NA EUV光刻机的原因，表示公司选择在2030年开始采用，是因为认为届时该技术将足够成熟。

台积电称，目前正与ASML紧密合作，计划在2031年前确立12英寸光罩标准，彼时High NA的成本将达到适合其投入量产的合理水平。

在High NA EUV光刻机进度上，Intel后来居上，原计划在14A工艺采用，现已在去年底量产的18A工艺上使用，官方表述显示这一进度领先其他厂商4至5年以上。

从台积电的回应看，不率先采用High NA EUV的原因主要有两点：一是设备与工艺成本较高；二是受视场限制，当前Low NA EUV可生产约800平方毫米的大芯片，High NA EUV因视场原因生产芯片面积减半至约400平方毫米，暂时难以支持大型AI芯片制造。

注：本文配图由AI生成。本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟