SK海力士3D FeNAND实现模拟存内计算

IT时代网10月15日消息，SK海力士日前公布了3D FeNAND实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。

A-CiM可利用模拟信号直接在存储器中执行乘积累加运算（MAC），从而减少数据搬运，提升处理速度与能效。

3D FeNAND利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。相比之下，传统3D NAND采用电荷俘获氮化物（CTN）结构，将电子捕获在氮化物层中。铁电材料的特点是，即使外部电场消失，其内部极化状态仍能保持。

SK海力士表示，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。

注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟