武汉天源拟5亿元建高纯铟及磷化铟基地

IT时代网10月15日消息，据中国证券报报道，武汉天源公告称，公司与楚雄高新技术产业开发区管理委员会就投资建设高纯铟及磷化铟多晶生产基地项目签署合作协议，计划总投资约5亿元。

该项目全称为「楚雄高新区年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目」。项目达产后，将形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力，分高纯铟生产系统与磷化铟多晶生产系统两部分布置，配套建设洁净厂房、超纯水车间、研发中心及环保处理设施。

随着算力基础设施大规模建设、光通信网络持续升级以及新能源、智能驾驶等新兴产业快速崛起，高端半导体材料需求呈现出总量扩张与结构升级并行的态势，半导体材料作为电子信息产业的物质基础和底层支撑，战略地位日益凸显。

武汉天源主业聚焦环境治理与绿色能源两大领域。公司表示，半导体新材料作为未来重点发展方向，将与原有环保、绿色能源业务形成周期互补，构建双轮驱动格局，项目建成达产后将有效丰富业务品类、拓宽营收渠道。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟