SK海力士提出3D堆叠DRAM新路线 剑指AI存储瓶颈

IT时代网10月14日消息，据Chosun报道，SK海力士社长兼开发负责人安炫在首尔COEX举行的半导体大展SEDEX 2026上发表主题演讲，提出面向AI时代的下一代存储技术路线，包括将DRAM直接堆叠在GPU上的3D Stack DRAM、定制化HBM以及高带宽闪存HBF。

安炫在演讲中表示，AI需求才刚刚开始，AI技术正以前所未有的速度扩散，普及周期正在快速缩短。他预测AI基础设施市场到2030年将增长约20倍，今年到2030年的年均增长率达109%。他强调，存储器开发、标准化与产能扩充必须在AI需求形成之前提前准备。

3D Stack DRAM是本次提出的核心方向。传统HBM将多颗DRAM垂直堆叠后布置在GPU周围，而3D Stack DRAM通过硅通孔直接把DRAM堆叠在GPU等处理器上，缩短数据搬运距离，数据传输带宽较现有方式可提升数十倍，功耗也随之降低。不过处理器与存储器直接集成后，散热管理与先进封装技术成为关键课题。SK海力士的思路是在GPU缓存常用的S-RAM与HBM之间开发新的存储层级。

在现有HBM市场，SK海力士预计定制化HBM的占比将逐步扩大。定制化HBM在位于存储器底部的基础晶片上反映客户需求，随AI加速器对性能、能效与数据处理方式的要求分化，定制设计的重要性上升。安炫表示，公司已通过客户沟通准备了核心技术，定制HBM与标准HBM将并行推进，长期看定制产品会持续扩大。

面向AI推理市场的HBF同样被列为发展重点。HBF结合硅通孔与逻辑工艺，基于NAND闪存兼顾大容量与高数据传输带宽，定位在HBM与固态硬盘之间的新存储层级。安炫强调，HBF的容量与带宽更适合以大容量数据反复读取为主的AI推理场景。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟