三星公布HBM5与CXL内存扩展技术战略

IT时代网10月13日消息，据Chosun报道，三星电子在10月12日开幕的OCP全球峰会2026上公布了面向AI时代的下一代内存与存储技术战略，提出速度、内存扩展、数据持久化三大技术方向。

三星电子DS部门内存事业部常务沈浩俊以AI时代的创新扩展为主题发表演讲。他表示，随着AI模型变大、推理过程中临时存储历史计算结果的KV Cache激增，仅靠传统提升内存带宽的方式已不足以提升系统性能，在带宽之外同步扩大内存容量、让海量数据高效存取的技术正变得同等关键。

速度方向上，三星正准备第八代HBM5、按客户需求定制的定制化HBM、把内存垂直堆叠在计算芯片上的zHBM，以及在内存内部处理简单计算的PIM。HBM5比当前AI加速器使用的第五代HBM3E领先三代，三星在峰会展区展出了HBM5概念样品与晶圆，同场还展出了HBM4E等下一代AI加速器内存产品。

内存扩展方向上，三星将以CXL接口技术为核心，利用CMM-D内存模组与内存池化技术，让此前被限制在单台服务器内的内存资源可以灵活扩展与共享，解决大规模推理时单机内存容量上限问题。峰会现场，三星与AMD联合演示了基于CXL的内存扩展方案，展示AMD计算平台与三星CMM-D如何在AI基础设施中弹性扩展内存容量。

数据持久化方向上，三星重点展示下一代企业级SSD、QLC技术与FDP灵活数据放置技术。QLC在每个NAND闪存单元存储4比特数据以提高SSD容量；FDP根据数据特性在SSD内高效分配存储位置，减少写入次数，兼顾性能与寿命。

除存储产品外，三星还展出了代工与系统半导体技术，包括为AI芯片公司Groq的LPU配套的晶圆与系统，以及2纳米GAA全环绕栅极工艺晶圆。

编辑：林一舟