长鑫G6内存单元面积预计再缩30%

IT时代网10月12日消息，国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出，方案显示G6将继续采用DUV光刻工艺生产，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，缩减幅度达30%。

在缺乏EUV光刻机的条件下，长鑫正通过深度优化DUV工艺组合逼近该技术的物理极限。据技术人士发布的预测数据，G6的单元面积微缩将通过继续优化193纳米DUV浸没式光刻机，结合自对准四重图案化技术实现，部分层级采用自对准双重图案化工艺。

从工艺节点指标看，G6的字线间距将从G5的33.3纳米收紧至28纳米，位线间距从38.5纳米降至32纳米，有源区间距从23.9纳米降至20纳米。光刻胶方案同步升级，有源区切割层将从193i LE4升级为193i LE4或X-SADP，位线接触层也引入X-SADP选项。

键合工艺的首次引入是G6方案中最关键的技术变量。预测表中G6的M0层标注为193i LELE bonded，意味着长鑫计划通过晶圆级混合键合方式，将DRAM存储阵列与外围逻辑电路解耦制造后再堆叠互联。这一思路与长鑫在4F²架构上的布局吻合，长鑫科技总裁曹堪宇曾表示，4F²架构的核心突破之一就是将DRAM与CMOS工艺解耦再通过晶圆级混合键合实现高速互联，长鑫预计今年年底推出融合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

预测同时指出，G6可能是6F²内存芯片结构的最后一代产品，长鑫已提前布局3D内存技术，其3D DRAM堆叠层数可达64层以上，2030年后推出的G7代产品可能转向4F²结构或3D内存架构。

此前，本站曾报道过长鑫4F架构DDR5内存将于年底推出。

编辑：林一舟