阿斯麦公布Hyper NA EUV光刻机技术蓝图

IT时代网10月9日消息，阿斯麦与光学合作伙伴蔡司在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表同行评审论文，正式公布现有最强光刻机High NA EUV的接班方案——Hyper NA EUV光刻机。论文预计这款设备约10年后准备就绪，可实现5nm级别的单次曝光能力。

Hyper NA的核心思路是将数值孔径从High NA的0.55提升至至少0.75。数值孔径越大，光刻机收集光的能力越强，能分辨的电路特征尺寸就越小。论文测算，Hyper NA可印制小至5nm的电路特征，比现有High NA EUV设备缩小逾三分之一。

技术复用是该方案的重要考量。现有EUV光源可以直接沿用，蔡司已能制造精度足够的反射镜，掩膜基础设施无需重大改动，新设备尺寸也仅比现有High NA机台略大，芯片制造商无需重建整套光刻生态。论文同时指出，主要技术挑战集中在更低的可用景深，这需要更薄的光刻胶以及更精细的聚焦控制与晶圆平整工艺。

产业节奏方面，英特尔已开始将High NA用于量产，三星和SK海力士计划2028年跟进，台积电规划2030年采用，High NA在未来数年仍是先进制程主力，Hyper NA瞄准2035年之后的产业需求。阿斯麦已启动相关研发，但尚未承诺投入量产。

编辑：林一舟