韩媒披露三星海力士人才流向长鑫存储

IT时代网10月6日消息，据Chosun报道，从三星电子和SK海力士转投中国DRAM厂商长鑫存储的技术人员，其专业覆盖从电路设计到生产工艺协调、不良原因分析的存储芯片开发与量产全流程，其中不乏具备HBM设计与先进封装经验的人员。

报道基于对行业名录的梳理：这些人员是拥有两大公司平均15年以上经验的熟练工程师，部分曾负责下一代DRAM开发项目。行业人士指出，长鑫存储能够在没有三星、SK海力士级别研发体系的情况下快速缩小技术差距，人才流动是关键因素之一。

从技术代差看，韩国业界评估长鑫与两强的DRAM工艺差距已从此前的数年缩窄，HBM与先进封装人才的到位进一步压缩了追赶周期。此前已有韩国智库发布过类似评估，这次报道补充了人员结构层面的细节。

存储芯片是韩国出口的支柱产业之一，人才流向竞争对手是韩方持续关注的议题。报道同时提及，三星电子已向部分离职核心人员发出警告信，涉及竞业限制与保密义务的争议可能继续增加。

编辑：林一舟