瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体

IT时代网10月6日消息，瑞萨电子宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体产品，本次发布的产品属于100V增强型GaN分立功率晶体管系列，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用领域。

本次发布的产品型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。相比同类GaN器件，这些产品的硬开关和软开关优值表现更优，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM降低约13%。

低压GaN器件的主要价值在于功率转换效率。在AI服务器电源、机器人关节驱动等场景中，更高的开关效率意味着更低的发热与损耗，有助于压缩供电模块体积。瑞萨把这类产品与人形机器人和工业电机绑定，指向的是电机驱动与电源管理市场。

瑞萨在功率半导体领域此前以硅基器件为主，这次发布补上了其在GaN品类的空白。随着AI数据中心供电密度提升与机器人量产临近，GaN功率器件的竞争正在从消费快充向工业与算力场景延伸。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟