美光预测2028年内存供应短缺将进一步加剧

IT时代网10月1日消息，据Chosun报道，美光科技预测，受AI需求扩张影响，2028年内存半导体供应短缺将较今年进一步加剧，直接反驳了内存价格与利润明年见顶的市场担忧。此前，本站曾报道过美光对人形机器人内存需求的判断与美光2026财年财报。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报电话会议上回应内存市场见顶担忧时称，公司预计2027与2028年需求都将超过供给，供需状况比今年更紧张，难以预测何时恢复平衡。他透露，公司2027财年出货量已有超过75%向客户承诺供应，与客户的大部分讨论已转向锁定2028年货源。

供应结构上，美光认为HBM产能扩张是延长短缺的主因：HBM增速快于通用DRAM，从HBM3E向HBM4、HBM4E切换推高了倍率（生产同等容量HBM需要更多晶圆），挤压通用DRAM产能；先进制程下单片晶圆良率提升幅度也不及以往。公司预计全球DRAM位元出货量增速将从今年的20%多降至2027与2028年的20%出头，NAND增速维持20%多仍供不应求。

合同结构同步演变：美光战略客户协议从上季度的16份增至26份，现有合同覆盖2030年前预期销售额的35%以上，部分延长至2031年，多为照付不议条款，剩余履约义务约1500亿美元。公司计划2027财年上半年投资约250亿美元资本开支，但主要投向2028年底后才能使用的洁净室厂房建设，短期难以转化为位元产出。

编辑：林一舟