我国氧化镓功率器件实现安培级通流 击穿电压超900伏

IT时代网9月29日消息，据科技日报报道，上海镓驰动力科技有限公司近日完成氧化镓垂直MOSFET芯片第一阶段迭代流片验证，研制出全球首款导通电流超1安、击穿电压大于900伏的增强型氧化镓垂直MOSFET器件，多项核心性能刷新国际公开纪录。氧化镓是新一代超宽禁带半导体核心材料，拥有超高击穿场强、低导通损耗、耐高温等特性，可广泛应用于新能源高端装备、高端工业电力、智能电网、储能系统等场景。长期以来，稳定可控的p型注入掺杂难题制约着氧化镓MOSFET的大功率化与商用化，全球垂直结构氧化镓MOSFET普遍存在通流能力弱、耐压不足、漏电偏高等短板，公开文献中此前没有导通电流突破安培级的器件成果。镓驰动力团队自研全新氧化镓MOSFET元胞和终端专用结构，攻克沟道自对准离子注入工艺，打通了氧化镓功率器件商业化的关键链路。

编辑：林一舟