韩媒：三星DRAM路线图调整 混合键合成为首个亚10nm节点方案

IT时代网9月29日消息，据韩国科技媒体报道，三星对其DRAM技术路线图作出调整，将混合键合（Hybrid Bonding）明确为首个亚10nm节点的堆叠方案。

混合键合以铜对铜直接连接取代传统的焊球凸点互连，可在更小的节距下实现晶圆或芯片之间的垂直互连。此前该技术主要被讨论用于HBM等高端堆叠存储产品。

把混合键合提前到首个亚10nm节点，意味着三星在DRAM微缩遇到物理限制后，转向以封装侧的垂直互连密度来继续推进容量与带宽。

同期，三星高管表示明年HBM将占DRAM产能的近30%，公司还在加速平泽P5晶圆厂的DRAM建设。存储厂商正把更多资源向高附加值的堆叠产品倾斜。

路线图的具体量产时点与良率目标，本次发布未提及，以三星后续公布为准。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟