三星高管：明年HBM将占DRAM产能近30%

IT时代网9月29日消息，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家DRAM芯片厂商全部晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。

三星电子执行副总裁金泰伟称，HBM与普通DRAM争夺晶圆产能，这意味着扩大HBM的产出规模，有可能挤压标准DRAM的供给。

HBM是AI算力中的关键元器件，由多层存储芯片垂直堆叠而成，可以让处理器以极高速度读取海量数据。该市场目前主要由SK海力士、三星电子以及美光科技三家企业主导。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟