长鑫科技拟241亿元投建技术研发项目

IT时代网9月28日消息，长鑫科技晚间公告，拟使用超募资金合计约241亿元投资建设技术研发项目，并以约108亿元投建存储器晶圆后道测试基地二期项目。

技术研发项目方面，公司拟使用超募资金130亿元新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司提供资金支持。存储器晶圆后道测试基地二期项目建成后将进一步扩充先进封装与测试产能。

两项目合计投入约349亿元，是长鑫科技上市后的又一轮大规模扩产动作。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟