三星加速平泽P5晶圆厂DRAM建设

IT时代网9月28日消息，据韩媒报道，三星电子正加速推进平泽P5晶圆厂PH1阶段的DRAM内存生产线建设，已在本季度启动洁净室建设，早于此前预期。按此进度推算，半导体制造设备进场时间预计落在2027年7月前后。

报道还提到，P5的PH2阶段或用于生产NAND闪存。三星此举被视为在AI存储需求高景气下抢夺产能先机的动作，平泽P5将成为三星后续DRAM扩产的主力基地。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟