韩国专家评估中韩HBM技术差距为2至6年

IT时代网9月28日消息，据快科技报道，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕，多位韩国专家评估中韩HBM技术差距在2年至6年之间。高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为差距已缩小至2年左右，理由是HBM世代更替周期比DRAM更快，中国也已着手开发存储器堆叠封装技术。嘉泉大学特聘教授金容锡与汉阳大学教授白瑞仁的判断均为3年，白瑞仁称若中国以不计成本的姿态进攻，差距还可能再缩短1年。TechInsights高级副总裁崔正东的结论更细致：单看产品世代中韩相差1至2代，但计入量产良率、堆叠与热管理、客户联合设计及AI加速器认证后，实际生态差距为4至5年，预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，在最先进HBM上追平最早也要等到2032年至2034年之后。成均馆大学教授权锡俊对比长鑫存储与韩企历史节点后认为存在约6年时差。作为HBM追赶基础的通用DRAM方面，专家估算中韩差距为2至4年。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟