我国发布全球首款碳化硅超级结MOSFET

IT时代网9月27日消息，西电校友企业瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结MOSFET产品，实现国产功率半导体原创技术突破。

该成果源自瑶芯微与西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队历时五年的联合攻关，并协同晶圆代工厂芯联集成开发工艺平台，率先推动碳化硅超级结技术从实验室走向产业化。

功率器件是电能转换、控制与调节的核心芯片。碳化硅功率器件具备高耐压、低损耗、耐高温和高频特性，已成为新能源汽车、数据中心800V供电架构、光伏储能、特高压输电等产业的关键器件。

超级结技术的思路，是在主通道两侧建造交替排布的P型柱与N型柱。器件承受高压时，原本集中的电场被这些柱子共同分担，电场分布趋于均匀，主通道无需收窄即可扛住更高电压。瑶芯微联合创始人、CTO陈开宇把制造过程形容为「在微米世界里盖一栋高楼」。

这款器件实现1635V超高耐压，室温与175℃高温下比导通电阻分别低至1.27毫欧·平方厘米和1.5毫欧·平方厘米，电流密度较商业化国际顶级水平分别提升50%和166%；25℃到125℃导通电阻实现零温漂，175℃温度系数小于1.2倍，相较平面或沟槽技术1.8至2.2倍的水平取得实质突破；器件BFOM高达2.1吉瓦每平方厘米，功率密度提升81%。

该器件逼近碳化硅材料的一维物理极限，将1200V碳化硅功率器件的综合性能推升至新高度，实现从国产替代到原研创新的跨越。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟