高塔半导体40亿美元扩建日本工厂 押注光互连芯片

IT时代网9月26日消息，以色列晶圆代工商高塔半导体与日本政府计划共同投资40亿美元，把其在日本的工厂改造为光互连半导体的大型制造基地，以应对AI基础设施对光连接器件的旺盛需求。

这一双轨扩张计划分为两步。第一步将把位于新潟县阿贺野市的闲置200毫米Fab 6工厂改造为300毫米硅光子与先进光封装产线，同时扩大富山县魚津市Fab 7工厂的产能，该厂已在量产多种硅锗电子集成电路与硅光子光子集成电路，使用包括TPS65SG在内的65纳米级硅锗工艺与TPS45PHD 45纳米级硅光子工艺。第一步预计2027年第四季度达到满产状态，可带动2028财年约36亿美元营收与12亿美元净利润。

第二步将在Fab 7旁边新建一座300毫米工厂，把相关产品产能再提升数倍，预计2029年开始实质性贡献业绩。届时高塔半导体在日本的产能折合每月4.5万片300毫米晶圆，约为2025年的40倍，并新增约200个岗位。

高塔半导体在服务器用光通信半导体代工市场占据八成以上份额，客户包括行业头部企业。AI数据中心的规模扩张正推动光互连需求快速上升，此次扩产正是为承接这一波订单潮。

编辑：林一舟