报告称1b DRAM晶圆成本较台积电N2溢价54%

IT时代网9月25日消息，韩国半导体分析机构Kernel Insight最新数据显示，1b DRAM晶圆每平方毫米成本达0.654美元，较台积电N2晶圆的0.424美元高出54%。1b DRAM晶圆指采用1b工艺节点制造的DDR5存储器，位密度约每平方毫米0.436Gb。

这一定价格局与工艺复杂度相悖。N2属2纳米级先进制程，需多重曝光与极紫外光刻等复杂工艺；1b DRAM虽为亚10纳米级，结构相对单一，良率控制难度较低。按常理工艺更简单的产品单位面积成本应更低，通用DRAM长期供应短缺成为价格倒挂的核心驱动：AI服务器建设潮持续消耗高带宽内存与大容量DDR5模组，三大存储厂商产能扩张节奏滞后于需求增速。

业内对短缺周期判断不一。SK海力士CEO公开表示AI产业无法脱离存储器存在，公司正加速全球生产基地的下一代内存布局；宏碁董事长陈巍预测内存短缺不会延续至2030年，但价格在2027年中期缓解前仍将持续攀升。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟