中科院微电子所展示DUV光刻环栅晶体管新进展

IT时代网9月21日消息，中科院微电子研究所（IMECAS）展示了一款可工作的环栅（GAA）晶体管，其堆叠纳米片沟道采用DUV光刻制造，并未依赖西方厂商的先进设备。国家科技重大专项02专项总师叶甜春在北京IC World大会上表示，IMECAS已完成该类晶体管的“早期工艺集成”。

研究团队得到的器件开关比达到9.7×10⁵与7.6×10⁵，均超过5×10⁵阈值，说明堆叠纳米片的栅极控制有效，晶体管能够区分导通与截止状态。不过这些数值主要反映器件能否正常工作，对晶体管密度、以及物理尺寸是否对应商用3纳米级技术，目前还说明不了太多。

IMECAS尚未公开栅极节距、金属节距、纳米片尺寸、晶体管密度等关键几何参数，实验流程也远未形成完整的3纳米级制造工艺。即便如此，这项成果的意义在于证明中国能够在没有西方前沿工具的情况下，走出一条自有分支的半导体演进路线。

编辑：林一舟