SK海力士1c DRAM份额年底预计达34%

IT时代网9月7日消息，据Chosun报道，SK海力士正在快速扩大第十纳米级第六代DRAM（1c DRAM）的生产份额。由于1c DRAM将作为下一代高带宽内存HBM4E堆叠时的核心芯片，这家存储巨头正加快工艺转换节奏。服务器与人工智能带动高价值存储需求攀升，它与三星电子、美光之间的精细工艺竞赛也随之白热化。

9月7日业界消息显示，SK海力士的1c DRAM份额已从今年第一季度的约10%扩大到第二季度的13%区间，第三季度预计达到24%区间，第四季度预计升至34%区间。到明年第一季度，1c份额有望进一步爬到35%区间，首次超过1b工艺（33%区间），正式成为主力工艺。

上一代的1b（第十纳米级第五代）DRAM份额在第二季度见顶于43%后开始回落，随着产线向1c切换，旧工艺占比正逐步收缩。截至第二季度末，三星电子的1c份额估计在16%区间，美光约19%区间，两家都略高于SK海力士的13%区间。不过SK海力士下半年明显提速，第四季度有望反超预计停留在31%区间的三星电子。

在上月的第二季度财报电话会上，SK海力士透露1c工艺DRAM的供应已于第二季度全面展开，伴随HBM4（第六代HBM）出货扩大和1c通用DRAM出货增加，下半年出货量增速会高于上半年。

三星电子与SK海力士争夺HBM4主导权的战局，与各自1c转换速度深度绑定。三星从HBM4阶段就启用1c DRAM，强调11.7Gbps的顶级运行速度；SK海力士则把生产稳定性放在首位，HBM4采用经过验证的1b DRAM搭配先进的MR-MUF封装工艺，1c DRAM首次用在下一代HBM4E（第七代HBM）的核心芯片上。此前，本站曾报道过三星为英伟达开发8层HBM4E的消息。

多家主要研究机构（含Counterpoint Research）预测，按对英伟达、谷歌、AMD的合计销售额计算，SK海力士今年HBM4市场份额将保持在50%出头的水平，三星电子和美光分别落在20%高位区间和10%高位区间。SK海力士靠生产稳定性守住出货优势，三星则指望用规格技术抢占更多份额。

分析人士认为，SK海力士加速1c转换带来的不只是工艺微缩，还有实打实的成本与生产力收益。每片晶圆可产出的比特数量比上一代更多，单位成本竞争力随之提升，有望支撑DRAM业务下半年的盈利表现。服务器与HBM等高价值产品占比扩大后，生产力改善将直接转化为更高的利润率。

一位半导体行业人士评价称，1c转换的速度固然可喜，但真正的意义还要看量产良率和客户认证日程。从HBM4E开始，三星电子与SK海力士之间的精细工艺竞争预计会更趋激烈。

编辑：周艺