三星确认2028年DRAM量产导入High NA

IT时代网9月8日消息，据Chosun报道，三星电子宣布扩大与荷兰半导体设备公司ASML的合作，确认将在2028年把下一代曝光设备High NA EUV应用于先进DRAM的量产。这是三星首次将该技术投入DRAM实际大规模生产。

High NA EUV通过提高数值孔径实现更精细的电路图案：现有EUV设备的NA为0.33，High NA EUV提升到0.55，更高的分辨率可以减少部分需要多重曝光的工序，有利于微缩与工艺简化。三星计划在2028年前完成先进DRAM制程导入，并同步验证相关量产条件。

ASML同时在SPIE大会前夕宣布，将与三大先进制程企业共同推动High NA EUV光刻图案化系统从传统6英寸掩膜过渡至12英寸掩膜，以提升机台生产效率、降低制造成本，化解当前方案存在的半场拼接问题。合作新闻稿中，台积电计划从2031年开始向先进逻辑制程量产导入High NA EUV。

按照规划，各方将在2031年前建设12英寸掩膜试点线，为2033年在High NA EUV先进制程中投产做好准备。此前，本站曾报道过英特尔High-NA EUV晶圆处理量突破百万片的消息。

编辑：林一舟